| APT11N80BC3G | |
|---|---|
| Modèle de produit | APT11N80BC3G |
| Fabricant | Microsemi |
| La description | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 |
| Quantité disponible | 2651 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | |
| APT11N80BC3G Price |
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| Informations techniques de APT11N80BC3G | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | APT11N80BC3G | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Microsemi | La description | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 |
| Paquet / cas | Tube | Quantité disponible | 2651 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-247 [B] |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 156W (Tc) | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-247-3 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1585pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 800V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11A (Tc) |
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