APT11GP60BDQBG
Modèle de produit APT11GP60BDQBG
Fabricant Microsemi
La description IGBT 600V 41A 187W TO247
Quantité disponible 2578 pcs new original in stock.
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Informations techniques de APT11GP60BDQBG
Référence fabricant APT11GP60BDQBG Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant Microsemi La description IGBT 600V 41A 187W TO247
Paquet / cas Tube Quantité disponible 2578 pcs
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 11A
Condition de test 400V, 11A, 5 Ohm, 15V Td (marche / arrêt) à 25 ° C 7ns/29ns
énergie de commutation 46µJ (on), 90µJ (off) Package composant fournisseur TO-247-3
Séries POWER MOS 7® Puissance - Max 187W
Emballage Tube Package / Boîte TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT PT
gate charge 40nC Description détaillée IGBT PT 600V 41A 187W Through Hole TO-247-3
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 45A Courant - Collecteur (Ic) (max) 41A
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