APT11F80S
Modèle de produit APT11F80S
Fabricant Microsemi
La description MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
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Informations techniques de APT11F80S
Référence fabricant APT11F80S Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant Microsemi La description MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
Paquet / cas Tube Quantité disponible 2626 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D3Pak Séries POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 6A, 10V Dissipation de puissance (max) 337W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2471pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension drain-source (Vdss) 800V Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)
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