| STWA50N65DM2AG | |
|---|---|
| Modèle de produit | STWA50N65DM2AG |
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 650V 38A TO247 |
| Quantité disponible | 59855 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Feuilles de données | 1.STWA50N65DM2AG.pdf2.STWA50N65DM2AG.pdf |
| STWA50N65DM2AG Price |
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| Informations techniques de STWA50N65DM2AG | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | STWA50N65DM2AG | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | STMicroelectronics | La description | MOSFET N-CH 650V 38A TO247 |
| Paquet / cas | TO-247-3 | Quantité disponible | 59855 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±25V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-247-3 |
| Séries | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 87mOhm @ 19A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) | Package / Boîte | TO-247-3 |
| Emballer | Tube | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 100 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 38A (Tc) |
| Numéro de produit de base | STWA50 | ||
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