| STWA48N60DM2 | |
|---|---|
| Modèle de produit | STWA48N60DM2 |
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 600V 40A TO247 |
| Quantité disponible | 5306 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Feuilles de données | 1.STWA48N60DM2.pdf2.STWA48N60DM2.pdf |
| STWA48N60DM2 Price |
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| Informations techniques de STWA48N60DM2 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | STWA48N60DM2 | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | STMicroelectronics | La description | MOSFET N-CH 600V 40A TO247 |
| Paquet / cas | TO-247 Long Leads | Quantité disponible | 5306 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±25V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-247 Long Leads |
| Séries | MDmesh™ DM2 | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 79mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) | Package / Boîte | TO-247-3 |
| Emballer | Tube | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3250 pF @ 100 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 600 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 40A (Tc) |
| Numéro de produit de base | STWA48 | ||
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