SI9926BDY-T1-GE3 | |
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Modèle de produit | SI9926BDY-T1-GE3 |
Fabricant | Vishay / Siliconix |
La description | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC |
Quantité disponible | 20212 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
Modèle ECAD | |
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Informations techniques de SI9926BDY-T1-GE3 | |||
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Référence fabricant | SI9926BDY-T1-GE3 | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
Fabricant | Vishay / Siliconix | La description | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC |
Paquet / cas | Tape & Reel (TR) | Quantité disponible | 20212 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | Package composant fournisseur | 8-SO |
Séries | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V |
Puissance - Max | 1.14W | Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V | type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Fonction FET | Logic Level Gate | Tension drain-source (Vdss) | 20V |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 6.2A | SI9926BDY-T1-GE3 Détails PDF [English] | SI9926BDY-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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