| SI9926CDY-T1-GE3 | |
|---|---|
| Modèle de produit | SI9926CDY-T1-GE3 |
| Fabricant | Vishay / Siliconix |
| La description | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC |
| Quantité disponible | 20249 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
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| Informations techniques de SI9926CDY-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | SI9926CDY-T1-GE3 | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Vishay / Siliconix | La description | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC |
| Paquet / cas | Tape & Reel (TR) | Quantité disponible | 20249 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | Package composant fournisseur | 8-SO |
| Séries | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V |
| Puissance - Max | 3.1W | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V | type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET | Logic Level Gate | Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 8A | SI9926CDY-T1-GE3 Détails PDF [English] | SI9926CDY-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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