| IRFL214TRPBF | |
|---|---|
| Modèle de produit | IRFL214TRPBF |
| Fabricant | Vishay Siliconix |
| La description | MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223 |
| Quantité disponible | 24200 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.IRFL214TRPBF.pdf2.IRFL214TRPBF.pdf3.IRFL214TRPBF.pdf |
| Télécharger | IRFL214TRPBF Détails PDF |
| IRFL214TRPBF Price |
Demande de prix et délai de livraison en ligne or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informations techniques de IRFL214TRPBF | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IRFL214TRPBF | Catégorie | |
| Fabricant | Vishay / Siliconix | La description | MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223 |
| Paquet / cas | SOT-223 | Quantité disponible | 24200 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | SOT-223 |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 470mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) | Package / Boîte | TO-261-4, TO-261AA |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 25 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 250 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 790mA (Tc) |
| Numéro de produit de base | IRFL214 | IRFL214TRPBF Détails PDF [English] | IRFL214TRPBF PDF - EN.pdf |
| Télécharger | IRFL214TRPBF Détails PDF | ||
Modèle de Produit
IRFL214TRPBF
Introduction
MOSFET à canal N conçu pour des applications de commutation de puissance
Marque et Fabricant
Vishay / Siliconix
Caractéristiques
MOSFET à canal N
Haute capacité de tension
Faible résistance à l'état passant
Vitesse de commutation rapide
Performance du Produit
Fonctionne efficacement de -55°C à 150°C
Courant de drain continu de 790mA à 25°C
Faible charge de porte pour une commutation plus rapide
Spécifications Techniques
Type de FET : Canal N
Tension de drain à source (Vdss) : 250V
Courant Drain continu (Id) : 790mA
Rds On (Max) : 2 Ohm
Charge de porte (Qg) : 8.2nC
Capacitance d'entrée (Ciss) : 140pF
Tension de pilotage : 10V
Tension de porte-source (Vgs max) : ±20V
Dimensions, Forme et Conditionnement
Boîtier : TO-261-4, TO-261AA
Forme de l'appareil fournisseur : SOT-223
Emballage : Bande et bobine (TR)
Qualité et Fiabilité
Construction durable pour une fiabilité à long terme
Testé rigoureusement pour une cohérence de performance
Avantages du Produit
Gestion de haute tension
Consommation d'énergie efficace
Gestion thermique robuste
Compétitivité du Produit
Prix compétitif sur le marché des semi-conducteurs
Offre une performance comparable aux normes de l'industrie
Compatibilité
Compatible avec les processus de montage en surface standard
S'intègre facilement avec divers circuits électroniques
Certification et Conformité aux Normes
Conforme aux normes internationales des semi-conducteurs
Durée de Vie et Durabilité
Conçu pour une longue durée de vie opérationnelle sous des charges électriques typiques
Matériaux respectueux de l'environnement utilisés lorsque cela est possible
Champs d'Application Réels
Alimentations
Systèmes de contrôle moteur
Systèmes d'éclairage
Électronique grand public
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