| IRLTS6342TRPBF | |
|---|---|
| Modèle de produit | IRLTS6342TRPBF |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| La description | MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP |
| Quantité disponible | 12642 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Feuilles de données | 1.IRLTS6342TRPBF.pdf2.IRLTS6342TRPBF.pdf3.IRLTS6342TRPBF.pdf4.IRLTS6342TRPBF.pdf5.IRLTS6342TRPBF.pdf |
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| Informations techniques de IRLTS6342TRPBF | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IRLTS6342TRPBF | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | La description | MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP |
| Paquet / cas | 6-TSOP | Quantité disponible | 12642 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA | Vgs (Max) | ±12V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | 6-TSOP |
| Séries | HEXFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.5mOhm @ 8.3A, 4.5V |
| État du produit | Active | Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta) |
| Package / Boîte | SOT-23-6 | Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1010 pF @ 25 V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V | Tension drain-source (Vdss) | 30 V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 8.3A (Ta) | Numéro de produit de base | IRLTS6342 |
| IRLTS6342TRPBF Détails PDF [English] | IRLTS6342TRPBF PDF - EN.pdf | ||
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