| IRLML6402TRPBF | |
|---|---|
| Modèle de produit | IRLML6402TRPBF |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| La description | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 |
| Quantité disponible | 65300 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Feuilles de données | 1.IRLML6402TRPBF.pdf2.IRLML6402TRPBF.pdf3.IRLML6402TRPBF.pdf4.IRLML6402TRPBF.pdf5.IRLML6402TRPBF.pdf6.IRLML6402TRPBF.pdf |
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| Informations techniques de IRLML6402TRPBF | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IRLML6402TRPBF | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | La description | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 |
| Paquet / cas | Micro3™/SOT-23 | Quantité disponible | 65300 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA | Vgs (Max) | ±12V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | Micro3™/SOT-23 |
| Séries | HEXFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| État du produit | Active | Dissipation de puissance (max) | 1.3W (Ta) |
| Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 633 pF @ 10 V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 5 V |
| type de FET | P-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V | Tension drain-source (Vdss) | 20 V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3.7A (Ta) | Numéro de produit de base | IRLML6402 |
| IRLML6402TRPBF Détails PDF [English] | IRLML6402TRPBF PDF - EN.pdf | ||
| Télécharger | IRLML6402TRPBF Détails PDF | ||
Modèle de Produit
IRLML6402TRPBF
Introduction
MOSFET de puissance P-Channel HEXFET
Marque et Fabricant
International Rectifier (Infineon Technologies)
Caractéristiques
Conception de cellule à haute densité pour une faible Rds(On), interrupteur à petit signal contrôlé par tension, robuste et fiable
Performance du Produit
Haute efficacité grâce à une faible perte de puissance, vitesse de commutation rapide
Spécifications Techniques
Technologie MOSFET (oxyde métallique), P-Channel, tension Drain à Source de 20V (Vdss), 65 mOhm Rds On à 3.7A, 4.5V, tension de seuil de grille (Vgs(th)) de 1.2V à 250µA, charge de grille (Qg) de 12nC à 5V, capacité d'entrée (Ciss) de 633pF à 10V, tension de commande de 2.5V - 4.5V, dissipation maximale de puissance de 1.3W
Dimensions, Forme et Conditionnement
Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, montage en surface, emballage en bande et bobine (TR)
Qualité et Fiabilité
Conçu pour une fiabilité à long terme, conforme à des normes de qualité strictes
Avantages du Produit
Faible résistance à l'état passant, haute efficacité thermique, adapté pour des applications à basse tension
Compétitivité du Produit
Compétitif dans les applications de gestion de l'énergie, offre un équilibre entre performance, efficacité et puissance
Compatibilité
Compatible avec une large gamme de circuits à haute vitesse et des applications de gestion de l'énergie
Certification et Conformité aux Normes
Conforme aux normes internationales pour les composants électroniques
Durée de Vie et Durabilité
Conçu pour la durabilité et une longue durée de vie opérationnelle, options écologiques disponibles dans la fabrication et les matériaux
Champs d'Application Réels
Interrupteurs d'alimentation, gestion de charge/pouvoir dans les appareils portables, convertisseurs DC/DC
Envoyez-nous un email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ IRLML6402TRPBF Online.
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