IPA80R600P7XKSA1
Modèle de produit IPA80R600P7XKSA1
Fabricant Infineon Technologies
La description MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220
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Informations techniques de IPA80R600P7XKSA1
Référence fabricant IPA80R600P7XKSA1 Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) La description MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220
Paquet / cas PG-TO220-FP Quantité disponible 13340 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 170µA Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) Package composant fournisseur PG-TO220-FP
Séries CoolMOS™ P7 Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.4A, 10V
État du produit Active Dissipation de puissance (max) 28W (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack Emballer Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 500 V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 800 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc) Numéro de produit de base IPA80R600
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