Modèle de Produit

STP20NM50FP

Introduction

MOSFET N-Channel 550V 20A

Marque et Fabricant

STMicroelectronics

Caractéristiques

MOSFET N-Channel, tension drain-source élevée de 550V, courant drain continu de 20A, type de montage Through Hole, dissipation de puissance maximale de 45W, plage de température de fonctionnement de -65°C à 150°C.

Performance du Produit

Tension de seuil faible de 5V, tension grille-source de ±30V, faible Rds (sur) de 250 mOhm, charge de grille de 56nC, capacité d'entrée de 1480pF.

Spécifications Techniques

Technologie FET à oxyde métallique, charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V, capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1480pF @ 25V, tension de pilotage pour Rds max en marche, Rds min en marche : 10V, NIVEAU DE SENSIBILITÉ À L'HUMIDITÉ (MSL) de 1 (illimité).

Dimensions, Forme et Conditionnement

Boîtier TO-220-3 Full Pack, fourni dans un emballage Tube, montage Through Hole.

Qualité et Fiabilité

Sans plomb / Conforme à la norme RoHS.

Avantages du Produit

Conçu pour des applications de commutation à haute efficacité.

Compétitivité du Produit

Optimisé pour la gestion de haute tension et courant.

Compatibilité

Utilisable dans divers circuits nécessitant un FET N-Channel.

Certification et Conformité aux Normes

Sans plomb / Conforme à la norme RoHS.

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une longue durée de vie et des performances durables.

Champs d'Application Réels

Unités d'alimentation, applications de commutation, systèmes de gestion de l'énergie, dispositifs de conversion d'énergie.

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