MMUN2232LT1G | |
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Modèle de produit | MMUN2232LT1G |
Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 |
Quantité disponible | 39448 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
Modèle ECAD | |
Feuilles de données | MMUN2232LT1G.pdf |
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Informations techniques de MMUN2232LT1G | |||
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Référence fabricant | MMUN2232LT1G | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | La description | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 |
Paquet / cas | Tape & Reel (TR) | Quantité disponible | 39448 pcs |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased | Package composant fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
Séries | - | Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms | Puissance - Max | 246mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Autres noms | MMUN2232LT1GOS MMUN2232LT1GOS-ND MMUN2232LT1GOSTR |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 36 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 5mA, 10V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA | Numéro de pièce de base | MMUN22**L |
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