MMUN2234LT1G
Modèle de produit MMUN2234LT1G
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23-3
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Informations techniques de MMUN2234LT1G
Référence fabricant MMUN2234LT1G Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor La description TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23-3
Paquet / cas Tape & Reel (TR) Quantité disponible 33000 pcs
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Séries - Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47 kOhms
Résistance - Base (R1) 22 kOhms Puissance - Max 246mW
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms MMUN2234LT1G-ND
MMUN2234LT1GOSTR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 36 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA Numéro de pièce de base MMUN22**L
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