FDP030N06B-F102
Modèle de produit FDP030N06B-F102
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
Quantité disponible 2514 pcs new original in stock.
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Informations techniques de FDP030N06B-F102
Référence fabricant FDP030N06B-F102 Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor La description MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
Paquet / cas Tube Quantité disponible 2514 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) Package composant fournisseur TO-220-3
Séries PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max) 205W (Tc) Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3 Autres noms FDP030N06B_F102
FDP030N06B_F102-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8030pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 99nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 60V Description détaillée N-Channel 60V 120A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  
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