FDP027N08B | |
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Modèle de produit | FDP027N08B |
Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
Quantité disponible | 31500 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
Modèle ECAD | |
Feuilles de données | FDP027N08B.pdf |
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Informations techniques de FDP027N08B | |||
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Référence fabricant | FDP027N08B | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | La description | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
Paquet / cas | Tube | Quantité disponible | 31500 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-220-3 |
Séries | PowerTrench® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 100A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 246W (Tc) | Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-220-3 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 13530pF @ 40V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 178nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 80V | Description détaillée | N-Channel 80V 120A (Tc) 246W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tc) | FDP027N08B Détails PDF [English] | FDP027N08B PDF - EN.pdf |
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Composants FDP027N08B | FDP027N08B Inventaire | FDP027N08B Digikey | |||
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