FDP027N08B
Modèle de produit FDP027N08B
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3
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Informations techniques de FDP027N08B
Référence fabricant FDP027N08B Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor La description MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3
Paquet / cas Tube Quantité disponible 31500 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) Package composant fournisseur TO-220-3
Séries PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max) 246W (Tc) Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13530pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 178nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 80V Description détaillée N-Channel 80V 120A (Tc) 246W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) FDP027N08B Détails PDF [English] FDP027N08B PDF - EN.pdf
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