| FCP20N60 | |
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| Modèle de produit | FCP20N60 |
| Fabricant | onsemi |
| La description | MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3 |
| Quantité disponible | 25978 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Feuilles de données | 1.FCP20N60.pdf2.FCP20N60.pdf3.FCP20N60.pdf4.FCP20N60.pdf5.FCP20N60.pdf6.FCP20N60.pdf7.FCP20N60.pdf8.FCP20N60.pdf |
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| Informations techniques de FCP20N60 | |||
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| Référence fabricant | FCP20N60 | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | AMI Semiconductor/onsemi | La description | MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3 |
| Paquet / cas | TO-220-3 | Quantité disponible | 25978 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-220-3 |
| Séries | SuperFET™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 208W (Tc) | Package / Boîte | TO-220-3 |
| Emballer | Tube | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3080 pF @ 25 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 600 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20A (Tc) |
| Numéro de produit de base | FCP20 | FCP20N60 Détails PDF [English] | FCP20N60 PDF - EN.pdf |
| Télécharger | FCP20N60 Détails PDF | ||
Modèle de Produit
FCP20N60
Introduction
Transistor MOSFET N-Channel haute tension
Marque et Fabricant
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Caractéristiques
Transistor MOSFET N-Channel, haute tension de 600V entre le drain et la source, courant de drainage continu de 20A à 25°C, faible Rds On de 190 mOhm à 10A, 10V, dissipation de puissance efficace à 208W
Performance du Produit
Fonctionne entre -55°C et 150°C, performance thermique robuste, capacité de gestion de courant élevée
Spécifications Techniques
Technologie MOSFET (oxyde métallique), type de montage à travers le trou, emballage TO-220-3, dissipation de puissance maximale de 208W
Dimensions, Forme et Conditionnement
Emballage TO-220-3, fourni dans un emballage en tube
Qualité et Fiabilité
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1, sans plomb / conforme RoHS pour la sécurité environnementale
Avantages du Produit
Conversion de puissance efficace, haute tension et gestion de courant, faible résistance à l'état passant
Compétitivité du Produit
Technologie SuperFET pour une performance améliorée, durable dans des températures extrêmes
Compatibilité
Compatible avec les conceptions de circuits imprimés à montage traversant
Certification et Conformité aux Normes
Conforme RoHS
Durée de Vie et Durabilité
Conçu pour une fiabilité à long terme
Champs d'Application Réels
Gestion de l'énergie, onduleurs, alimentations électriques
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