| MT3S113P(TE12L,F) | |
|---|---|
| Modèle de produit | MT3S113P(TE12L,F) |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| La description | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N |
| Quantité disponible | 2596 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | MT3S113P(TE12L,F).pdf |
| MT3S113P(TE12L,F) Price |
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| Informations techniques de MT3S113P(TE12L,F) | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | MT3S113P(TE12L,F) | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage | La description | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N |
| Paquet / cas | Tape & Reel (TR) | Quantité disponible | 2596 pcs |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 5.3V | Transistor Type | NPN |
| Package composant fournisseur | PW-MINI | Séries | - |
| Puissance - Max | 1.6W | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-243AA | Autres noms | MT3S113P(TE12LF) MT3S113P(TE12LF)TR |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 12 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Gain | 10.5dB | Fréquence - Transition | 7.7GHz |
| Description détaillée | RF Transistor NPN 5.3V 100mA 7.7GHz 1.6W Surface Mount PW-MINI | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA | ||
| Télécharger | MT3S113P(TE12L,F) PDF - EN.pdf | ||
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