| IXFJ80N25X3 | |
|---|---|
| Modèle de produit | IXFJ80N25X3 |
| Fabricant | IXYS Corporation |
| La description | MOSFET N-CH 250V 44A TO247 |
| Quantité disponible | 2652 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | IXFJ80N25X3.pdf |
| IXFJ80N25X3 Price |
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| Informations techniques de IXFJ80N25X3 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IXFJ80N25X3 | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | IXYS Corporation | La description | MOSFET N-CH 250V 44A TO247 |
| Paquet / cas | Tube | Quantité disponible | 2652 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.5mA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | ISO TO-247-3 |
| Séries | HiPerFET™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 40A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 104W (Tc) | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-247-3 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 32 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5430pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 83nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 250V |
| Description détaillée | N-Channel 250V 44A (Tc) 104W (Tc) Through Hole ISO TO-247-3 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 44A (Tc) |
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