| IXFA12N65X2 | |
|---|---|
| Modèle de produit | IXFA12N65X2 |
| Fabricant | IXYS Corporation |
| La description | MOSFET N-CH |
| Quantité disponible | 2977 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | IXFA12N65X2.pdf |
| IXFA12N65X2 Price |
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| Informations techniques de IXFA12N65X2 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IXFA12N65X2 | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | IXYS Corporation | La description | MOSFET N-CH |
| Paquet / cas | Quantité disponible | 2977 pcs | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-263AA |
| Séries | HiPerFET™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 310 mOhm @ 6A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 180W (Tc) | Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Délai de livraison standard du fabricant | 24 Weeks | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1134pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650V | Description détaillée | N-Channel 650V 12A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-263AA |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 12A (Tc) | ||
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