| IRF7910PBF | |
|---|---|
| Modèle de produit | IRF7910PBF |
| Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| La description | MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC |
| Quantité disponible | 26469 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | |
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| Informations techniques de IRF7910PBF | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IRF7910PBF | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) | La description | MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC |
| Paquet / cas | Tube | Quantité disponible | 26469 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | Package composant fournisseur | 8-SO |
| Séries | HEXFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 8A, 4.5V |
| Puissance - Max | 2W | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1730pF @ 6V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V | type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET | Logic Level Gate | Tension drain-source (Vdss) | 12V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 10A | IRF7910PBF Détails PDF [English] | IRF7910PBF PDF - EN.pdf |
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