IRF6722STR1PBF
Modèle de produit IRF6722STR1PBF
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
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Informations techniques de IRF6722STR1PBF
Référence fabricant IRF6722STR1PBF Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies) La description MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Paquet / cas Tape & Reel (TR) Quantité disponible 2801 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 50µA La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur DIRECTFET™ ST Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.3 mOhm @ 13A, 10V Dissipation de puissance (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte DirectFET™ Isometric ST
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1320pF @ 15V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension drain-source (Vdss) 30V Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Ta), 58A (Tc)
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