KBL610G
Modèle de produit KBL610G
Fabricant GeneSiC Semiconductor
La description DIODE BRIDGE 1000V 6A KBL
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Informations techniques de KBL610G
Référence fabricant KBL610G Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant GeneSiC Semiconductor La description DIODE BRIDGE 1000V 6A KBL
Paquet / cas Bulk Quantité disponible 2670 pcs
Tension - Inverse de crête (max) 1000V Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.1V @ 6A
La technologie Standard Package composant fournisseur KBL
Séries - Emballage Bulk
Package / Boîte 4-SIP, KBL Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Type de diode Single Phase
Courant - fuite, inverse à Vr 5µA @ 1000V Courant - Rectifié moyenne (Io) 6A
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