STP23NM50N
Modèle de produit STP23NM50N
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 500V 17A TO-220
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Informations techniques de STP23NM50N
Référence fabricant STP23NM50N Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant STMicroelectronics La description MOSFET N-CH 500V 17A TO-220
Paquet / cas Tube Quantité disponible 2890 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±25V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) Package composant fournisseur TO-220-3
Séries MDmesh™ II Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 8.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc) Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3 Autres noms 497-10883-5
Température de fonctionnement 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1330pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 500V Description détaillée N-Channel 500V 17A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)  
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