CSD87334Q3DT
Modèle de produit CSD87334Q3DT
Fabricant N/A
La description MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
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Informations techniques de CSD87334Q3DT
Référence fabricant CSD87334Q3DT Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant N/A La description MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
Paquet / cas Cut Tape (CT) Quantité disponible 3073 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Package composant fournisseur 8-VSON (3.3x3.3)
Séries NexFET™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 12A, 8V
Puissance - Max 6W Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte 8-PowerTDFN Autres noms 296-42468-1
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 35 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1260pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 4.5V type de FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Fonction FET Standard Tension drain-source (Vdss) 30V
Description détaillée Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3) Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -
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