NTMFS4C08NT3G
Modèle de produit NTMFS4C08NT3G
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL
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Informations techniques de NTMFS4C08NT3G
Référence fabricant NTMFS4C08NT3G Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor La description MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL
Paquet / cas Tape & Reel (TR) Quantité disponible 2650 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) Package composant fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Séries - Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8 mOhm @ 18A, 10V
Dissipation de puissance (max) 760mW (Ta), 25.5W (Tc) Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerTDFN Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1113pF @ 15V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18.2nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V Tension drain-source (Vdss) 30V
Description détaillée N-Channel 30V 9A (Ta), 52A (Tc) 760mW (Ta), 25.5W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta), 52A (Tc)
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