NTMFS4841NHT3G
Modèle de produit NTMFS4841NHT3G
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL
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Informations techniques de NTMFS4841NHT3G
Référence fabricant NTMFS4841NHT3G Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor La description MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL
Paquet / cas Tape & Reel (TR) Quantité disponible 20010 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) Package composant fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Séries - Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max) 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerTDFN, 5 Leads Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2113pF @ 12V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 11.5V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V Description détaillée N-Channel 30V 8.6A (Ta), 59A (Tc) 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.6A (Ta), 59A (Tc) NTMFS4841NHT3G Détails PDF [English] NTMFS4841NHT3G PDF - EN.pdf
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