FJX4003RTF
Modèle de produit FJX4003RTF
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
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Informations techniques de FJX4003RTF
Référence fabricant FJX4003RTF Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor La description TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
Paquet / cas Tape & Reel (TR) Quantité disponible 3320 pcs
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type PNP - Pre-Biased Package composant fournisseur SOT-323
Séries - Résistance - Base de l'émetteur (R2) 22 kOhms
Résistance - Base (R1) 22 kOhms Puissance - Max 200mW
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte SC-70, SOT-323
Autres noms FJX4003RTF-ND
FJX4003RTFTR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 6 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 200MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-323 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO) Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
Numéro de pièce de base FJX4003 FJX4003RTF Détails PDF [English] FJX4003RTF PDF - EN.pdf
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