| SI4943BDY-T1-GE3 | |
|---|---|
| Modèle de produit | SI4943BDY-T1-GE3 |
| Fabricant | Vishay / Siliconix |
| La description | MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC |
| Quantité disponible | 18209 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | |
| SI4943BDY-T1-GE3 Price |
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| Informations techniques de SI4943BDY-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | SI4943BDY-T1-GE3 | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Vishay / Siliconix | La description | MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC |
| Paquet / cas | Tape & Reel (TR) | Quantité disponible | 18209 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Package composant fournisseur | 8-SO |
| Séries | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 8.4A, 10V |
| Puissance - Max | 1.1W | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 5V | type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Fonction FET | Logic Level Gate | Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 6.3A | ||
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