| SI4276DY-T1-E3 | |
|---|---|
| Modèle de produit | SI4276DY-T1-E3 |
| Fabricant | Vishay / Siliconix |
| La description | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO |
| Quantité disponible | 18031 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
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| Informations techniques de SI4276DY-T1-E3 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | SI4276DY-T1-E3 | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Vishay / Siliconix | La description | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO |
| Paquet / cas | Tape & Reel (TR) | Quantité disponible | 18031 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Package composant fournisseur | 8-SO |
| Séries | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Puissance - Max | 3.6W, 2.8W | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V | type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET | Logic Level Gate | Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 8A | SI4276DY-T1-E3 Détails PDF [English] | SI4276DY-T1-E3 PDF - EN.pdf |
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