| RN1961FE(TE85L,F) | |
|---|---|
| Modèle de produit | RN1961FE(TE85L,F) |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| La description | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Quantité disponible | 52000 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | |
| RN1961FE(TE85L,F) Price |
Demande de prix et délai de livraison en ligne or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informations techniques de RN1961FE(TE85L,F) | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | RN1961FE(TE85L,F) | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage | La description | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Paquet / cas | Cut Tape (CT) | Quantité disponible | 52000 pcs |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | Package composant fournisseur | ES6 |
| Séries | - | Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 4.7k |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7k | Puissance - Max | 100mW |
| Emballage | Cut Tape (CT) | Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 |
| Type de montage | Surface Mount | Fréquence - Transition | 250MHz |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA | ||
| Télécharger | RN1961FE(TE85L,F) PDF - EN.pdf | ||
Envoyez-nous un email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ RN1961FE(TE85L,F) Online.
| Action RN1961FE(TE85L,F) | Prix RN1961FE(TE85L,F) | RN1961FE(TE85L,F) Electronique | |||
| Composants RN1961FE(TE85L,F) | RN1961FE(TE85L,F) Inventaire | RN1961FE(TE85L,F) Digikey | |||
| Fournisseur RN1961FE(TE85L,F) | Commandez RN1961FE(TE85L,F) en ligne | Demande RN1961FE(TE85L,F) | |||
| RN1961FE(TE85L,F) Image | RN1961FE(TE85L,F) Photo | RN1961FE(TE85L,F) PDF | |||
| RN1961FE(TE85L,F) Fiche technique | Télécharger la fiche technique RN1961FE(TE85L,F) | Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage | |||
| Pièces connexes RN1961FE(TE85L,F) | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Image | Modèle de produit | La description | Fabricant | Obtenir un devis | |
 |
RN1911(T5RSNDFT | TOSHIBA SOT-363 | TOSHIBA | ||
|
RN1911AFS | RN1911AFS TOSHIBA | TOSHIBA | ||
|
RN1911FS | RN1911FS TOSHIBA | TOSHIBA | ||
|
RN1911FE(T5L ,F ,T) | TOSHIBA SOT-563 | TOSHIBA | ||
 |
RN1911FETE85LF | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | Toshiba Semiconductor and Storage | ||
|
RN1962(TE85L ,F) | TOSHIBA SOT-363 | TOSHIBA | ||
|
RN1961FE | RN1961FE TOSHIBA | TOSHIBA | ||
|
RN1962(TE85L,F) | RN1962(TE85L,F) TOSHIBA | TOSHIBA | ||
|
RN1962(TE85L | TOSHIBA SOT-363 | TOSHIBA | ||
|
RN1962FE | RN1962FE TOSHIBA | TOSHIBA | ||
 |
RN1963FE | RN1963FE TOSH | TOSH | ||
|
RN1911FE(T5L,F,T) | RN1911FE(T5L,F,T) TOSHIBA | TOSHIBA | ||
|
RN1962 | RN1962 TOSHIBA | TOSHIBA | ||
|
RN1961FE(TE85L ,F) | TOSHIBA NA | TOSHIBA | ||
 |
RN1961(TE85L,F) | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | Toshiba Semiconductor and Storage | ||
|
RN1963(TE85L,F) | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | Toshiba Semiconductor and Storage | ||
|
RN1962FE(TE85L.F) | RN1962FE(TE85L.F) | Original | ||
|
RN1911FE | RN1911FE TOSHIBA | TOSHIBA | ||
|
RN1962FE(TE85L,F) | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | Toshiba Semiconductor and Storage | ||
|
RN1962TE85LF | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6 | Toshiba Semiconductor and Storage | ||
Message
Plus
Récemment, les principaux fabricants de stockage tels que Micron, Samsung et Western Digital ont annoncé des augmentations de prix.Les initiés de l...
Dans l'air, la fraction de volume normale de la teneur en oxygène est d'environ 20,9%, mais lorsque la teneur en oxygène tombe en dessous de cette v...
Récemment, confronté à la possibilité que l'ASML (ASML détenant N.V.) déménage une partie de ses activités à l'étranger, le gouvernement né...
Au premier trimestre, l'industrie des semi-conducteurs approche de la fin du déstockage, les prix de la mémoire continuant d'augmenter.La demande du...
Dans le sous-marché des voitures de tourisme, la popularité des modèles PHEV (véhicule électrique hybride rechargeable) se poursuit sans relâche...
Nouveaux produits
Plus
Capteur photoélectrique série PD30 Les capteurs photoélectriques miniatures de Carlo Gavazzi sont...
Kit d'évaluation XC112 / XR112 pour le radar cohérent à impulsions A111 Kit d'évaluation XC112 e...
Servomoteurs et moteurs MINAS série A6 La famille MINAS A6 de Panasonic assure un fonctionnement st...
Carte de pilote à LED UV Carte pilote UV RayVio pour les séries XE et XP1 d'émetteurs UV-C La c...
Test SDRAM DDR industriel et étendu Les dispositifs SDRAM DDR d'Insignis garantissent un fonctionne...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966AJOUTER: 2703-27F Ho King Comm Centre 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Avis de droit d'auteur © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Tous les droits sont réservés.