| RN1117MFV,L3F | |
|---|---|
| Modèle de produit | RN1117MFV,L3F |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| La description | TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM |
| Quantité disponible | 2560 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | |
| RN1117MFV,L3F Price |
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| Informations techniques de RN1117MFV,L3F | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | RN1117MFV,L3F | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage | La description | TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM |
| Paquet / cas | Tape & Reel (TR) | Quantité disponible | 2560 pcs |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased | Package composant fournisseur | VESM |
| Séries | - | Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 4.7 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 10 kOhms | Puissance - Max | 150mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | SOT-723 |
| Autres noms | RN1117MFVL3F | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 16 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Fréquence - Transition | 250MHz |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
| Télécharger | RN1117MFV,L3F PDF - EN.pdf | ||
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| Action RN1117MFV,L3F | Prix RN1117MFV,L3F | RN1117MFV,L3F Electronique | |||
| Composants RN1117MFV,L3F | RN1117MFV,L3F Inventaire | RN1117MFV,L3F Digikey | |||
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| RN1117MFV,L3F Fiche technique | Télécharger la fiche technique RN1117MFV,L3F | Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage | |||
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