1SS193,LF
Modèle de produit 1SS193,LF
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
La description DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI
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Informations techniques de 1SS193,LF
Référence fabricant 1SS193,LF Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage La description DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI
Paquet / cas Tape & Reel (TR) Quantité disponible 2666 pcs
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.2V @ 100mA Tension - inverse (Vr) (max) 80V
Package composant fournisseur S-Mini La vitesse Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Séries - Temps de recouvrement inverse (trr) 4ns
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Température d'utilisation - Jonction 125°C (Max) Type de montage Surface Mount
Type de diode Standard Courant - fuite, inverse à Vr 500nA @ 80V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 100mA Capacité à Vr, F 3pF @ 0V, 1MHz
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