1SS187,LF
Modèle de produit 1SS187,LF
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
La description DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI
Quantité disponible 2517 pcs new original in stock.
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Informations techniques de 1SS187,LF
Référence fabricant 1SS187,LF Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage La description DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI
Paquet / cas Quantité disponible 2517 pcs
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.2V @ 100mA Tension - inverse (Vr) (max) 80V
Package composant fournisseur S-Mini La vitesse Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Séries - Temps de recouvrement inverse (trr) 4ns
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Autres noms 1SS187LF
Température d'utilisation - Jonction 125°C (Max) Type de montage Surface Mount
Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Standard Description détaillée Diode Standard 80V 100mA Surface Mount S-Mini
Courant - fuite, inverse à Vr 500nA @ 80V Courant - Rectifié moyenne (Io) 100mA
Capacité à Vr, F 4pF @ 0V, 1MHz  
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