| PSMN6R0-30YLB,115 | |
|---|---|
| Modèle de produit | PSMN6R0-30YLB,115 |
| Fabricant | Nexperia |
| La description | MOSFET N-CH 30V LFPAK |
| Quantité disponible | 2550 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | |
| PSMN6R0-30YLB,115 Price |
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| Informations techniques de PSMN6R0-30YLB,115 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | PSMN6R0-30YLB,115 | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Nexperia | La description | MOSFET N-CH 30V LFPAK |
| Paquet / cas | Tape & Reel (TR) | Quantité disponible | 2550 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.95V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 58W (Tc) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SC-100, SOT-669 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1088pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 71A (Tc) |
| Télécharger | PSMN6R0-30YLB,115 PDF - EN.pdf | ||
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| Composants PSMN6R0-30YLB,115 | PSMN6R0-30YLB,115 Inventaire | PSMN6R0-30YLB,115 Digikey | |||
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