APT30F50B
Modèle de produit APT30F50B
Fabricant Microsemi
La description MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
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Informations techniques de APT30F50B
Référence fabricant APT30F50B Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant Microsemi La description MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
Paquet / cas Tube Quantité disponible 3037 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA Vgs (Max) ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) Package composant fournisseur TO-247 [B]
Séries POWER MOS 8™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 14A, 10V
Dissipation de puissance (max) 415W (Tc) Emballage Tube
Package / Boîte TO-247-3 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4525pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 115nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 500V Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)
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