APT25GR120B
Modèle de produit APT25GR120B
Fabricant Microsemi
La description IGBT 1200V 75A 521W TO247
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Informations techniques de APT25GR120B
Référence fabricant APT25GR120B Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant Microsemi La description IGBT 1200V 75A 521W TO247
Paquet / cas Bulk Quantité disponible 2538 pcs
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200V Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 25A
Condition de test 600V, 25A, 4.3 Ohm, 15V Td (marche / arrêt) à 25 ° C 16ns/122ns
énergie de commutation 742µJ (on), 427µJ (off) Package composant fournisseur TO-247
Séries - Puissance - Max 521W
Emballage Bulk Package / Boîte TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Type d'entrée Standard type de IGBT NPT
gate charge 203nC Courant - Collecteur pulsée (Icm) 100A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 75A APT25GR120B Détails PDF [English] APT25GR120B PDF - EN.pdf
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