APT12067B2FLLG
Modèle de produit APT12067B2FLLG
Fabricant Microsemi
La description MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
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Informations techniques de APT12067B2FLLG
Référence fabricant APT12067B2FLLG Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant Microsemi La description MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
Paquet / cas Tube Quantité disponible 2847 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur T-MAX™ [B2] Séries POWER MOS 7®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 670 mOhm @ 9A, 10V Dissipation de puissance (max) 565W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-247-3 Variant
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4420pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1.2kV) Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc)
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