APT10SCD65KCT
Modèle de produit APT10SCD65KCT
Fabricant Microsemi
La description DIODE SILICON 650V 17A TO220
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Informations techniques de APT10SCD65KCT
Référence fabricant APT10SCD65KCT Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant Microsemi La description DIODE SILICON 650V 17A TO220
Paquet / cas Bulk Quantité disponible 2584 pcs
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.8V @ 10A Tension - inverse (Vr) (max) 650V
Package composant fournisseur TO-220 [K] La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
Séries - Temps de recouvrement inverse (trr) 0ns
Emballage Bulk Package / Boîte TO-220-2
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C Type de montage Through Hole
Type de diode Silicon Carbide Schottky Courant - fuite, inverse à Vr 200µA @ 650V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 17A Capacité à Vr, F 300pF @ 1V, 1MHz
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