MRF5812R2
Modèle de produit MRF5812R2
Fabricant Microsemi
La description RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
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Informations techniques de MRF5812R2
Référence fabricant MRF5812R2 Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant Microsemi La description RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
Paquet / cas Tape & Reel (TR) Quantité disponible 7813 pcs
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 18V Transistor Type NPN
Package composant fournisseur 8-SO Séries -
Puissance - Max 1.25W Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Noise Figure (dB Typ @ f) 2dB @ 500MHz Type de montage Surface Mount
Gain 15.5dB Fréquence - Transition 5GHz
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V Courant - Collecteur (Ic) (max) 200mA
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