IMH2AT110 | |
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Modèle de produit | IMH2AT110 |
Fabricant | LAPIS Semiconductor |
La description | TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 |
Quantité disponible | 21000 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
Modèle ECAD | |
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Informations techniques de IMH2AT110 | |||
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Référence fabricant | IMH2AT110 | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
Fabricant | LAPIS Semiconductor | La description | TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 |
Paquet / cas | Tape & Reel (TR) | Quantité disponible | 21000 pcs |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | Package composant fournisseur | SMT6 |
Séries | - | Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 47k | Puissance - Max | 300mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | SC-74, SOT-457 |
Type de montage | Surface Mount | Fréquence - Transition | 250MHz |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA | IMH2AT110 Détails PDF [English] | IMH2AT110 PDF - EN.pdf |
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