MMIX4G20N250
Modèle de produit MMIX4G20N250
Fabricant IXYS Corporation
La description MOSFET N-CH
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Informations techniques de MMIX4G20N250
Référence fabricant MMIX4G20N250 Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant IXYS Corporation La description MOSFET N-CH
Paquet / cas Quantité disponible 2598 pcs
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 2500V Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 20A
Package composant fournisseur SMPD Séries -
Puissance - Max 100W Package / Boîte 24-SMD Module, 9 Leads
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) NTC thermistance No
Type de montage Surface Mount Contribution Standard
type de IGBT - Courant - Collecteur Cutoff (Max) 10µA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 23A Configuration Full Bridge
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