IXTN90N25L2
Modèle de produit IXTN90N25L2
Fabricant IXYS Corporation
La description MOSFET N-CH 250V 90A SOT-227
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Informations techniques de IXTN90N25L2
Référence fabricant IXTN90N25L2 Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant IXYS Corporation La description MOSFET N-CH 250V 90A SOT-227
Paquet / cas Tube Quantité disponible 2957 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) Package composant fournisseur SOT-227B
Séries Linear L2™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max) 735W (Tc) Emballage Tube
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 640nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 250V Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 90A
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