IXTA60N20T
Modèle de produit IXTA60N20T
Fabricant IXYS Corporation
La description MOSFET N-CH 200V 60A TO-263
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Informations techniques de IXTA60N20T
Référence fabricant IXTA60N20T Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant IXYS Corporation La description MOSFET N-CH 200V 60A TO-263
Paquet / cas Tube Quantité disponible 2925 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-263 (IXTA) Séries Trench™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 30A, 10V Dissipation de puissance (max) 500W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement - Type de montage Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4530pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 73nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension drain-source (Vdss) 200V Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc)
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