IXST35N120B
Modèle de produit IXST35N120B
Fabricant IXYS Corporation
La description IGBT 1200V 70A 300W TO268
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Informations techniques de IXST35N120B
Référence fabricant IXST35N120B Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant IXYS Corporation La description IGBT 1200V 70A 300W TO268
Paquet / cas Tube Quantité disponible 2680 pcs
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200V Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 35A
Condition de test 960V, 35A, 5 Ohm, 15V Td (marche / arrêt) à 25 ° C 36ns/160ns
énergie de commutation 5mJ (off) Package composant fournisseur TO-268
Séries - Puissance - Max 300W
Emballage Tube Package / Boîte TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Type d'entrée Standard type de IGBT PT
gate charge 120nC Courant - Collecteur pulsée (Icm) 140A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 70A  
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