IXST30N60C
Modèle de produit IXST30N60C
Fabricant IXYS Corporation
La description IGBT 600V 55A 200W TO268
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Informations techniques de IXST30N60C
Référence fabricant IXST30N60C Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant IXYS Corporation La description IGBT 600V 55A 200W TO268
Paquet / cas Tube Quantité disponible 2612 pcs
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A
Condition de test 480V, 30A, 4.7 Ohm, 15V Td (marche / arrêt) à 25 ° C 30ns/90ns
énergie de commutation 700µJ (off) Package composant fournisseur TO-268
Séries - Puissance - Max 200W
Emballage Tube Package / Boîte TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Type d'entrée Standard type de IGBT PT
gate charge 100nC Courant - Collecteur pulsée (Icm) 110A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 55A  
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