| IXFT150N20T | |
|---|---|
| Modèle de produit | IXFT150N20T |
| Fabricant | IXYS Corporation |
| La description | MOSFET N-CH 200V 150A TO-268 |
| Quantité disponible | 32365 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | IXFT150N20T.pdf |
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| Informations techniques de IXFT150N20T | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IXFT150N20T | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | IXYS Corporation | La description | MOSFET N-CH 200V 150A TO-268 |
| Paquet / cas | Tube | Quantité disponible | 32365 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-268 | Séries | HiPerFET™, TrenchT2™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 75A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 890W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11700pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 177nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension drain-source (Vdss) | 200V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 150A (Tc) |
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