| IXFN38N100P | |
|---|---|
| Modèle de produit | IXFN38N100P |
| Fabricant | IXYS Corporation |
| La description | MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B |
| Quantité disponible | 2969 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
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| Informations techniques de IXFN38N100P | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IXFN38N100P | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | IXYS Corporation | La description | MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B |
| Paquet / cas | Tube | Quantité disponible | 2969 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA | Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | SOT-227B |
| Séries | HiPerFET™, PolarP2™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210 mOhm @ 19A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 1000W (Tc) | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | SOT-227-4, miniBLOC | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 24000pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 350nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 1000V (1kV) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 38A |
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