GWM160-0055P3
Modèle de produit GWM160-0055P3
Fabricant IXYS Corporation
La description MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL
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Informations techniques de GWM160-0055P3
Référence fabricant GWM160-0055P3 Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant IXYS Corporation La description MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL
Paquet / cas Tube Quantité disponible 2569 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Package composant fournisseur ISOPLUS-DIL™
Séries - Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 mOhm @ 100A, 10V
Puissance - Max - Emballage Tube
Package / Boîte ISOPLUS-DIL™ Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V type de FET 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Fonction FET Standard Tension drain-source (Vdss) 55V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 160A GWM160-0055P3 Détails PDF [English] GWM160-0055P3 PDF - EN.pdf
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