IRFHM792TRPBF
Modèle de produit IRFHM792TRPBF
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
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Informations techniques de IRFHM792TRPBF
Référence fabricant IRFHM792TRPBF Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies) La description MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Paquet / cas Tape & Reel (TR) Quantité disponible 4000 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 10µA Package composant fournisseur 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Séries HEXFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 195 mOhm @ 2.9A, 10V
Puissance - Max 2.3W Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerVDFN Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 251pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 10V type de FET 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET Standard Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.3A IRFHM792TRPBF Détails PDF [English] IRFHM792TRPBF PDF - EN.pdf
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